مرجع تخصصی محصولات سامسونگ از جمله گلکسی، نوت، یخچال، لوازم خانگی و ... با به روز ترین اخبار و مقالات

دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT)

رای دادن به این پست

دانلود فایل کامل پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT) از سرویس پوشه

کلمات کلیدی :: پاورپوینت,ساختار,ترانزیستورهای,دوقطبی,یا,پیوندی,)BJT),پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT),دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT) جدید,دانلودپاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT) جدید,د

متن کامل ::

پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT)

پاورپوینت-ساختار-ترانزیستورهای-دوقطبی-یا-پیوندی-)bjt)

دانلود پاورپوینت با موضوع پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی )BJT) دارای 29 اسلاید و با فرمت .ppt و قابل ویرایش و آماده برای ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس می باشد.

 

تعداد اسلاید : 29 اسلاید

فرمت فایل: پاورپوینت .ppt و قابل ویرایش

آماده برای : ارائه ، چاپ ، تحقیق و کنفرانس

قسمتی از متن نمونه:

ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco * IPC IE = IPC IPE IPE IE = × α*λ=α IC =αIE + Ico IC = IS e VBE τVT کنترل می شودVBE توسط ولتاژ و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود C و B تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین VCB افزایش که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین VBE توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC برای محاسبه IC = IS e VBE τVT افزایش می دهدμA در حد ICO تاثیری ندارد و تنها IPC اما روی جریان P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت 2)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید * IC IE IB IC IE IB 3)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده 1) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور مساله : DCتحلیل گام های نواحی کار : 1) خطی _ فعال (تقویت کننده): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VBE7/ 0 = IC =IE + Ic و IC =αIE و IC =βIB *مجهولات : VCE یا VCB و IC یا IE * حالت های دیودها : 2) اشباع(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: VCE7/ 0 = VBC7/ 0 = VBE8/ 0 = IC =IE + Ic IC یا IE * مجهولات: 3) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ): * اطلاعات بدیهی از این حالت: IC یا IE

دانلود فایل


نوشتن یک نظر

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

عنوان منو
در حال بارگذاری